Vishay SiR N channel-Channel MOSFET, 680 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8S SiRS4300DP
- N° de stock RS:
- 735-147
- Référence fabricant:
- SiRS4300DP
- Fabricant:
- Vishay
Visuel non contractuel
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité)*
3,77 €
(TVA exclue)
4,56 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 05 octobre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 3,77 € |
| 10 - 49 | 2,34 € |
| 50 - 99 | 1,80 € |
| 100 + | 1,33 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 735-147
- Référence fabricant:
- SiRS4300DP
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | N channel | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 680A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | SiR | |
| Package Type | PowerPAK SO-8S | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0004Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 278W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 180nC | |
| Forward Voltage Vf | 30V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 5mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 6mm | |
| Height | 2mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type N channel | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 680A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series SiR | ||
Package Type PowerPAK SO-8S | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0004Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 278W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 180nC | ||
Forward Voltage Vf 30V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 5mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 6mm | ||
Height 2mm | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The Vishay N-Channel MOSFET rated for 30V drain-source voltage, engineered for ultra-low loss synchronous rectification in AI power server buck converters and high-current power delivery systems. It achieves exceptionally low on-resistance of 400μΩ at 10V gate drive to maximize efficiency in extreme high-density applications.
278W power dissipation rating
100% Rg and UIS tested construction
Liens connexes
- Vishay SiR N channel-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8S SiRS5800DP
- Vishay SiR N channel-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8S SiRS4600DP
- Vishay SiR N channel-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8S SiRS4302DP
- Vishay SiR N channel-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8S SiRS4400DP
- Vishay SiR N channel-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8S SiRS5100DP
- Vishay SIRS4300DP Type N-Channel Single MOSFETs 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIRS4300DP-T1-RE3
- Vishay SIRS4300DP Type N-Channel Single MOSFETs 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SiR N channel-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiR500DP