Vishay SiR N channel-Channel MOSFET, 359 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8S SiRS4600DP
- N° de stock RS:
- 735-137
- Référence fabricant:
- SiRS4600DP
- Fabricant:
- Vishay
Visuel non contractuel
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité)*
4,18 €
(TVA exclue)
5,06 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 16 novembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 4,18 € |
| 10 - 49 | 2,59 € |
| 50 - 99 | 2,00 € |
| 100 + | 1,48 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 735-137
- Référence fabricant:
- SiRS4600DP
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N channel | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 359A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | SiR | |
| Package Type | PowerPAK SO-8S | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.00115Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 60V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 108nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 278W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 6mm | |
| Height | 2mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Width | 5mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N channel | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 359A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series SiR | ||
Package Type PowerPAK SO-8S | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.00115Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 60V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 108nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 278W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 6mm | ||
Height 2mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Width 5mm | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The Vishay N-Channel MOSFET rated for 60V drain-source voltage, designed for ultra-low loss switching in AI power server applications and high-current DC/DC converters. It features industry-leading on-resistance of 1.2mΩ maximum at 10V gate drive to maximize efficiency in synchronous rectification topologies.
334A continuous drain current at TC=25°C
Low RDS(on) x Qg figure-of-merit for optimal switching efficiency
100% Rg and UIS tested for reliability
Liens connexes
- Vishay SiR N channel-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8S SiRS5800DP
- Vishay SiR N channel-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8S SiRS4302DP
- Vishay SiR N channel-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8S SiRS4400DP
- Vishay SiR N channel-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8S SiRS5100DP
- Vishay SiR N channel-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8S SiRS4300DP
- Vishay SIRS Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRS4600DP-T1-RE3
- Vishay SiR N channel-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiR500DP
- Vishay SiR N channel-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiRA20DDP