Références fabricant

Vishay SiR N channel-Channel MOSFET, 337 A, 25 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiRA20DDP

N° de stock RS:: 735-153
Référence fabricant:: SiRA20DDP
Fabricant:: Vishay

Vishay SiR N channel-Channel MOSFET, 337 A, 25 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiRA20DDP

Visuel non contractuel

Sous-total (1 unité)*

1,76 €

(TVA exclue)

2,13 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €

Temporairement en rupture de stock

Expédition à partir du 04 décembre 2026

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité
1 +	1,76 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 735-153
Référence fabricant:: SiRA20DDP
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	N channel
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	337A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	25V
	Package Type	PowerPAK SO-8
	Series	SiR
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.00061Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	104W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	121nC
	Forward Voltage Vf	25V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	16V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	7mm
	Height	2mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Width	6mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type N channel
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 337A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 25V
	Package Type PowerPAK SO-8
	Series SiR
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.00061Ω
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 104W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 121nC
	Forward Voltage Vf 25V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 16V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 7mm
	Height 2mm
	Standards/Approvals RoHS
	Width 6mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SiRA20DDP

Pays d'origine :: CN

The Vishay N-Channel MOSFET rated for 60V drain-source voltage, optimized for high-efficiency switching in AI power server DC/DC converters and synchronous rectification circuits. It achieves very low on-resistance of 1.7mΩ maximum at 10V gate drive for minimal conduction losses in high-current applications

94A continuous drain current at TA=25°C

54.3nC typical total gate charge for fast switching

-55°C to +175°C extended junction temperature range

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.