Vishay EF Type N-Channel Single MOSFETs, 8 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC SIHG11N80AEF-GE3
- N° de stock RS:
- 653-136
- Référence fabricant:
- SIHG11N80AEF-GE3
- Fabricant:
- Vishay
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- Fabricant:
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Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Package Type | TO-247AC | |
| Series | EF | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.483Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 78W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 41nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 16.25mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Package Type TO-247AC | ||
Series EF | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.483Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 78W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 41nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 16.25mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay Power MOSFET designed for high-voltage switching applications. It features a fast body diode, low figure-of-merit (FOM), and reduced effective capacitance for improved efficiency. Ideal for server, telecom, SMPS, and power factor correction supplies, it comes in a robust TO-247AC package.
Pb Free
Halogen free
RoHS compliant
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