Références fabricant

Vishay SIB4122DK N-Channel Single MOSFETs, 5.9 A, 100 V Enhancement, 7-Pin PowerPAK SIB4122DK-T1-GE3

N° de stock RS:: 653-093
Référence fabricant:: SIB4122DK-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay SIB4122DK N-Channel Single MOSFETs, 5.9 A, 100 V Enhancement, 7-Pin PowerPAK SIB4122DK-T1-GE3

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

681,00 €

(TVA exclue)

825,00 €

(TVA incluse)

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6 000 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution

Unité	Prix par unité	la bobine*
3000 +	0,227 €	681,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 653-093
Référence fabricant:: SIB4122DK-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	N
	Product Type	Single MOSFETs
	Maximum Continuous Drain Current Id	5.9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	SIB4122DK
	Package Type	PowerPAK
	Mount Type	Surface
	Pin Count	7
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.160Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	2.9nC
	Maximum Power Dissipation Pd	12.5W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1.6mm
	Length	1.6mm
	Width	1.6mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type N
	Product Type Single MOSFETs
	Maximum Continuous Drain Current Id 5.9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series SIB4122DK
	Package Type PowerPAK
	Mount Type Surface
	Pin Count 7
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.160Ω
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 2.9nC
	Maximum Power Dissipation Pd 12.5W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1.6mm
	Length 1.6mm
	Width 1.6mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - SIB4122DK-T1-GE3

Pays d'origine :: CN

The Vishay N-channel MOSFET designed for high-efficiency switching in Compact power systems. It supports up to 100 V drain-source voltage. Packaged in PowerPAK SC-75, it utilizes ThunderFET Gen IV technology to deliver low RDS(on), fast switching, and excellent thermal performance in space-constrained designs.

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

Used in LED backlighting

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