Vishay SI2122DS Type N-Channel Single MOSFETs, 2.17 A, 100 V Enhancement, 3-Pin PowerPAK SI2122DS-T1-GE3

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

648,00 €

(TVA exclue)

783,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Informations sur le stock actuellement non accessibles - Veuillez vérifier plus tard
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +0,216 €648,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
653-085
Référence fabricant:
SI2122DS-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Single MOSFETs

Maximum Continuous Drain Current Id

2.17A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

SI2122DS

Package Type

PowerPAK

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.160Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

1.6W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

2.9nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The Vishay N-channel MOSFET designed for compact, high-efficiency switching in low-power applications. It supports up to 100 V drain-source voltage. Packaged in a SOT-23 format, it utilizes TrenchFET Gen IV technology for low RDS(on), fast switching, and efficient thermal performance in space-constrained designs.

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

Used in LED backlighting

Liens connexes