onsemi NTT Type N-Channel Single MOSFETs, 65 A, 40 V Enhancement, 8-Pin WDFN8 NTTFS4D9N04XMTAG
- N° de stock RS:
- 648-506
- Référence fabricant:
- NTTFS4D9N04XMTAG
- Fabricant:
- onsemi
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- N° de stock RS:
- 648-506
- Référence fabricant:
- NTTFS4D9N04XMTAG
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 65A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | WDFN8 | |
| Series | NTT | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.9mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 38W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 10.4nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 3.3 mm | |
| Length | 3.3mm | |
| Standards/Approvals | RoHS, Pb-Free | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 65A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type WDFN8 | ||
Series NTT | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.9mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 38W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10.4nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 3.3 mm | ||
Length 3.3mm | ||
Standards/Approvals RoHS, Pb-Free | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- MY
The ON Semiconductor Latest 40V standard gate level Power MOSFET Technology with best-in-class On-Resistance for motor driver application. Lower On-Resistance and less gate charge can reduce conduction loss and driving loss. Good softness control for body diode reverse recovery can reduce voltage spike stress without extra snubber circuit in application.
Low RDS(on)
Low Capacitance
Small Footprint of 3.3 x 3.3 mm
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