STMicroelectronics Single RF2L Type N-Channel MOSFET, 65 V Enhancement, 4-Pin B4E

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 120 unités)*

17 310,24 €

(TVA exclue)

20 945,40 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 05 octobre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
120 +144,252 €17 310,24 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
230-0084
Référence fabricant:
RF2L16180CB4
Fabricant:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Operating Frequency

1450 MHz

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Drain Source Voltage Vds

65V

Package Type

B4E

Series

RF2L

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Channel Mode

Enhancement

Transistor Configuration

Single

Maximum Operating Temperature

200°C

Width

9.78 mm

Height

9.4mm

Standards/Approvals

RoHS

Length

27.94mm

Typical Power Gain

14dB

Automotive Standard

No

The STMicroelectronics RF2L16180CB4 is 180 W, 28 V internally matched LDMOS transistor designed for multicarrier WCDMA/PCS/DCS/LTE base station and ISM applications with frequencies from 1300 to 1600 MHz. Four leads can be configured as single ended, 180 degree push-pull or 90 degree hybrid or Doherty with proper external matching network.

High efficiency and linear gain operations

Integrated ESD protection

Internally matched for ease of use

Optimized for Doherty applications

Liens connexes