onsemi NTT N-Channel Single MOSFETs, 178 A, 40 V Enhancement, 8-Pin WDFN8 NTTFS1D4N04XMTAG
- N° de stock RS:
- 648-510
- Référence fabricant:
- NTTFS1D4N04XMTAG
- Fabricant:
- onsemi
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- N° de stock RS:
- 648-510
- Référence fabricant:
- NTTFS1D4N04XMTAG
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 178A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | WDFN8 | |
| Series | NTT | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.43mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 35.4nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 83W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 3.3mm | |
| Standards/Approvals | RoHS, Pb-Free | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Channel Type N | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 178A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type WDFN8 | ||
Series NTT | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.43mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 35.4nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 83W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 3.3mm | ||
Standards/Approvals RoHS, Pb-Free | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- MY
The ON Semiconductor Latest 40V standard gate level Power MOSFET Technology with best-in-class On-Resistance for motor driver application. Lower On-Resistance and less gate charge can reduce conduction loss and driving loss. Good softness control for body diode reverse recovery can reduce voltage spike stress without extra snubber circuit in applications.
Low RDS(on)
Low Capacitance
Small Footprint
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