ROHM HT8KE6 2 Type N-Channel MOSFET Arrays, 12.5 A, 100 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 HT8KE6HTB1

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646-615
Référence fabricant:
HT8KE6HTB1
Fabricant:
ROHM
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Marque

ROHM

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET Arrays

Maximum Continuous Drain Current Id

12.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

HT8KE6

Package Type

HSMT-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

60mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

14W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.3nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS, Halogen Free, Pb Free

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

The ROHM Power MOSFET with low on resistance and High power small mould package suitable for Switching and Motor drives applications.

Pb free plating

RoHS compliant

Halogen Free

100% Rg and UIS tested

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