ROHM HT8KE6 2 Type N-Channel MOSFET Arrays, 12.5 A, 100 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 HT8KE6HTB1
- N° de stock RS:
- 646-615
- Référence fabricant:
- HT8KE6HTB1
- Fabricant:
- ROHM
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 ruban de 10 unités)*
7,81 €
(TVA exclue)
9,45 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 09 novembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le ruban* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,781 € | 7,81 € |
| 100 - 490 | 0,688 € | 6,88 € |
| 500 - 990 | 0,617 € | 6,17 € |
| 1000 + | 0,488 € | 4,88 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 646-615
- Référence fabricant:
- HT8KE6HTB1
- Fabricant:
- ROHM
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Product Type | MOSFET Arrays | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 12.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | HSMT-8 | |
| Series | HT8KE6 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 60mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 14W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 6.3nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS, Halogen Free, Pb Free | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Product Type MOSFET Arrays | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 12.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type HSMT-8 | ||
Series HT8KE6 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 60mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 14W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.3nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS, Halogen Free, Pb Free | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM Power MOSFET with low on resistance and High power small mould package suitable for Switching and Motor drives applications.
Pb free plating
RoHS compliant
Halogen Free
100% Rg and UIS tested
Liens connexes
- ROHM RQ3 Type N-Channel MOSFET 8-Pin HSMT-8 RQ3L060BGTB1
- ROHM HT8MD5HT Dual N-Channel Single MOSFETs 8-Pin HSMT-8 HT8MD5HTB1
- ROHM HT8KF6H Dual N-Channel Single MOSFETs 8-Pin HSMT-8 HT8KF6HTB1
- ROHM RH6G040BG Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement HSMT-8
- ROHM RH6P040BH Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement HSMT-8 RH6P040BHTB1
- ROHM RH6G040BG Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement HSMT-8 RH6G040BGTB1
- ROHM Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin HSMT RQ3P300BHTB1
- ROHM RQ3 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin HSMT-8 RQ3L070BGTB1