ROHM Type N-Channel MOSFET, 39 A, 100 V Enhancement, 8-Pin HSMT RQ3P300BHTB1

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235-2775
Référence fabricant:
RQ3P300BHTB1
Fabricant:
ROHM
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Marque

ROHM

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

39A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

HSMT

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

15.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

36nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

3.15mm

Height

3.4mm

Width

0.85 mm

Automotive Standard

No

The ROHM N channel power MOSFET with low on state resistance has drain to source voltage of 100 V. It is Ideal for switching purpose.

Small surface mount package

Pb-free lead plating

RoHS compliant

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