ROHM RJ1 Type N-Channel Single MOSFETs, 150 V Enhancement, 3-Pin TO-263AB RJ1R04BBHTL1

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646-551
Référence fabricant:
RJ1R04BBHTL1
Fabricant:
ROHM
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Marque

ROHM

Channel Type

Type N

Product Type

Single MOSFETs

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Series

RJ1

Package Type

TO-263AB

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

27mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

37nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

89W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

10.36 mm

Height

4.77mm

Standards/Approvals

RoHS

Length

15.5mm

Automotive Standard

No

The ROHM N channel 150 volt 40 ampere power metal oxide semiconductor field effect transistor features low on resistance, a high power package type TO two six three AB, lead free plating, and is restriction of hazardous substances compliant.

Halogen free

100% Rg and UIS tested

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