ROHM RJ1 1 N-Channel MOSFET, 170 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263AB RJ1P10BBHTL1
- N° de stock RS:
- 264-878
- Référence fabricant:
- RJ1P10BBHTL1
- Fabricant:
- ROHM
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité)*
6,55 €
(TVA exclue)
7,93 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- Plus 98 unité(s) expédiée(s) à partir du 02 novembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 6,55 € |
| 10 - 99 | 5,89 € |
| 100 - 499 | 5,44 € |
| 500 - 999 | 5,04 € |
| 1000 + | 4,10 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 264-878
- Référence fabricant:
- RJ1P10BBHTL1
- Fabricant:
- ROHM
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 170A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-263AB | |
| Series | RJ1 | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.0mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 135nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 189W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 170A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-263AB | ||
Series RJ1 | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.0mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 135nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 189W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
The ROHM Nch 100V 170A TO-263AB power MOSFET with low on-resistance and high power small mold package, suitable for switching.
Low on-resistance
High power small mold package (TO263AB)
Pb-free plating and RoHS compliant
100% UIS tested
Liens connexes
- ROHM RJ1 1 N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263AB RJ1P04BBHTL1
- ROHM RJ1 1 N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263AB RJ1P07CBHTL1
- ROHM RJ1 N-Channel Single MOSFETs 150 V Enhancement, 3-Pin TO-263AB RJ1R04BBHTL1
- ROHM RJ1 1 N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-263AB RJ1R10BBHTL1
- ROHM RJ1N04BBHT N-Channel Single MOSFETs 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263AB-3LSHYAD RJ1N04BBHTL1
- ROHM RX3P10BBH N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- ROHM RX3P10BBH N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 RX3P10BBHC16
- ROHM N-Channel MOSFET 40 V, 3-Pin TO-263AB-3LSHYAD RJ1G10BBGTL1