Infineon TRENCHSTOP IGBT7 Type P-Channel MOSFET Depletion EconoDUALTM3 FF900R17ME7WB11BPSA1

Sous-total (1 unité)*

780,92 €

(TVA exclue)

944,91 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 6 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
1 +780,92 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
349-321
Référence fabricant:
FF900R17ME7WB11BPSA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Package Type

EconoDUALTM3

Series

TRENCHSTOP IGBT7

Mount Type

Screw

Channel Mode

Depletion

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

20mW

Minimum Operating Temperature

-40°C

Forward Voltage Vf

2.5V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

IEC 60068, IEC 60749, IEC 60747

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
HU
The Infineon EconoDUAL 3 1700 V 900 A dual TRENCHSTOP IGBT7 module with emitter controlled 7 diode, NTC, PressFIT contact technology and wave structure on the base plate.

Improved terminals

PressFIT control pins and screw power terminals

Integrated NTC temperature sensor

Isolated baseplate

Compact and robust design with moulded terminals

Liens connexes