Infineon FB50R07W2E3_B23 Type P-Channel MOSFET Depletion FB50R07W2E3C36BPSA1

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 unité)*

85,43 €

(TVA exclue)

103,37 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 15 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
1 - 985,43 €
10 +76,89 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
348-974
Référence fabricant:
FB50R07W2E3C36BPSA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Series

FB50R07W2E3_B23

Mount Type

Screw

Channel Mode

Depletion

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Forward Voltage Vf

1.95V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Power Dissipation Pd

20mW

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

IEC 60749, IEC 60068, IEC 60747

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
DE
The Infineon EasyPIM 2B 650 V, 50 A Interleaved Enlarged PFC Stage integrates a rectifier, two channel PFC, and inverter stage into one compact module, optimizing space and performance for power applications. With very low stray inductance, it minimizes power losses and improves switching efficiency. The module features High speed H5 technology for the PFC stage, enabling faster response times and enhanced efficiency.

Compact design with Easy 2B package

Best cost performance ratio leading to reduced system costs

Enables high frequency operation and reduced cooling requirements

Liens connexes