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Infineon FS3L40R07W2H5F_B70 Type P-Channel MOSFET Depletion EasyPACK 2B FS3L40R07W2H5FB70BPSA1

N° de stock RS:: 348-982
Référence fabricant:: FS3L40R07W2H5FB70BPSA1
Fabricant:: Infineon

Infineon FS3L40R07W2H5F_B70 Type P-Channel MOSFET Depletion EasyPACK 2B FS3L40R07W2H5FB70BPSA1

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N° de stock RS:: 348-982
Référence fabricant:: FS3L40R07W2H5FB70BPSA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Package Type	EasyPACK 2B
	Series	FS3L40R07W2H5F_B70
	Mount Type	Screw
	Channel Mode	Depletion
	Maximum Power Dissipation Pd	20mW
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Forward Voltage Vf	2.15V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	60068, 60749, IEC 60747
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Package Type EasyPACK 2B
	Series FS3L40R07W2H5F_B70
	Mount Type Screw
	Channel Mode Depletion
	Maximum Power Dissipation Pd 20mW
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Forward Voltage Vf 2.15V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals 60068, 60749, IEC 60747
	Automotive Standard No

Datasheet - FS3L40R07W2H5FB70BPSA1

Pays d'origine :: DE

The Infineon EasyPACK 2B 650 V 40 A 3-Level NPC1 Full-Bridge IGBT Module is designed for high efficiency power applications, featuring CoolSiC Schottky Diode Gen 5 and TRENCHSTOP 5 H5 technology. This module offers increased blocking voltage capability of up to 650 V, providing enhanced performance in demanding power systems. The use of CoolSiC Schottky Diode Gen 5 ensures minimal power losses and improved efficiency in high speed switching applications.

Enabling higher frequency

Outstanding module efficiency

System efficiency improvement

System cost advantages

Reduced cooling requirements

Longer life time and/or higher power density

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