ROHM HP8KC5 Dual N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V Enhancement, 8-Pin HSOP-8 HP8KC5TB1

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331-684
Référence fabricant:
HP8KC5TB1
Fabricant:
ROHM
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Marque

ROHM

Product Type

MOSFET

Channel Type

Dual N

Maximum Continuous Drain Current Id

12A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

HP8KC5

Package Type

HSOP-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

139mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

20W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

3.1nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

Pb-Free Plating, RoHS

Automotive Standard

No

The ROHM Power MOSFET is a low on resistance MOSFET ideal for switching and motor drives applications. This power MOSFET comes in a small surface mount package.

Pb free plating

RoHS compliant

Halogen free

100 percent Rg and UIS tested

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