ROHM HP8KE5 Dual N-Channel MOSFET, 8.5 A, 100 V Enhancement, 8-Pin HSOP-8 HP8KE5TB1
- N° de stock RS:
- 331-686
- Référence fabricant:
- HP8KE5TB1
- Fabricant:
- ROHM
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- N° de stock RS:
- 331-686
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- HP8KE5TB1
- Fabricant:
- ROHM
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Channel Type | Dual N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 8.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | HSOP-8 | |
| Series | HP8KE5 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 193mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 20W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 2.9nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Channel Type Dual N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 8.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type HSOP-8 | ||
Series HP8KE5 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 193mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 20W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 2.9nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM Power MOSFET is a low on resistance MOSFET ideal for switching and motor drives applications. This power MOSFET comes in a small surface mount package.
Pb free plating
RoHS compliant
Halogen free
100 percent Rg and UIS tested
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