ROHM HP8KE5 Dual N-Channel MOSFET, 8.5 A, 100 V Enhancement, 8-Pin HSOP-8 HP8KE5TB1

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 ruban de 10 unités)*

6,50 €

(TVA exclue)

7,90 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 100 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le ruban*
10 - 900,65 €6,50 €
100 - 2400,618 €6,18 €
250 - 4900,572 €5,72 €
500 - 9900,527 €5,27 €
1000 +0,506 €5,06 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
331-686
Référence fabricant:
HP8KE5TB1
Fabricant:
ROHM
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

ROHM

Product Type

MOSFET

Channel Type

Dual N

Maximum Continuous Drain Current Id

8.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

HP8KE5

Package Type

HSOP-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

193mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

2.9nC

Maximum Power Dissipation Pd

20W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The ROHM Power MOSFET is a low on resistance MOSFET ideal for switching and motor drives applications. This power MOSFET comes in a small surface mount package.

Pb free plating

RoHS compliant

Halogen free

100 percent Rg and UIS tested

Liens connexes