Infineon FZ1200 Type P-Channel MOSFET, 1.2 kA, 4500 V Depletion Tray FZ1200R45HL4S7BPSA1

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N° de stock RS:
277-199
Référence fabricant:
FZ1200R45HL4S7BPSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

1.2kA

Maximum Drain Source Voltage Vds

4500V

Package Type

Tray

Series

FZ1200

Mount Type

Chassis

Channel Mode

Depletion

Forward Voltage Vf

2.95V

Maximum Power Dissipation Pd

2400kW

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

IEC 60749, IEC 60068, IEC 60747

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
HU
The Infineon IGBT Module is a IHV-B 4500 V, 1200 A 190 mm single switch IGBT Module with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled 4 diode and isolated AlSiC Base Plate. The best solution for your industry applications.

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