ROHM RS1 Type P-Channel MOSFET, 43 A, 80 V Enhancement, 8-Pin HSOP-8 RS1N110ATTB1
- N° de stock RS:
- 265-472
- Référence fabricant:
- RS1N110ATTB1
- Fabricant:
- ROHM
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- N° de stock RS:
- 265-472
- Référence fabricant:
- RS1N110ATTB1
- Fabricant:
- ROHM
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 43A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Series | RS1 | |
| Package Type | HSOP-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 21.0mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 40W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 135nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 43A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Series RS1 | ||
Package Type HSOP-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 21.0mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 40W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 135nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM Power MOSFET boasts low on resistance and is designed in a high power small mould package, making it ideal for switching applications and motor drives. Its compact size allows for efficient performance while optimizing space in electronic designs.
RoHS compliant
Low on resistance
Pb free plating
Halogen free
100 percent Rg and UIS tested
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