ROHM RQ3N060AT Type P-Channel MOSFET, 18 A, 80 V Enhancement, 8-Pin HSOP-8 RQ3N060ATTB1

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331-689
Référence fabricant:
RQ3N060ATTB1
Fabricant:
ROHM
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Marque

ROHM

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

18A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

RQ3N060AT

Package Type

HSOP-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

52mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

20W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

50nC

Forward Voltage Vf

-1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The ROHM Power MOSFET is a low on resistance MOSFET ideal for switching and motor drives applications. This power MOSFET comes in a high power small mould package.

Pb free plating

RoHS compliant

Halogen free

100 percent Rg and UIS tested

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