ROHM HP8J 2 Type P-Channel MOSFET, 12.5 A, 100 V Enhancement, 8-Pin HSOP-8 HP8JE5TB1

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264-654
Référence fabricant:
HP8JE5TB1
Fabricant:
ROHM
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Marque

ROHM

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

12.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

HP8J

Package Type

HSOP-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

127mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

38.0nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

21W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

The ROHM Semiconductor is a dual P-channel MOSFET designed for efficient switching and motor drive applications. It features a low on-resistance and high power dissipation, making it ideal for high-performance circuits. The device is housed in an 8-HSOP package, ensuring compact and reliable surface mounting.

RoHS compliant

High power Package

Pb free plating

Halogen Free

Rg and UIS tested

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