ROHM R60 Type N-Channel MOSFET, 600 V Enhancement, 3-Pin SOT-223-3 R6003JND4TL1

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 ruban de 10 unités)*

7,73 €

(TVA exclue)

9,35 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 60 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le ruban*
10 - 900,773 €7,73 €
100 - 2400,733 €7,33 €
250 - 4900,678 €6,78 €
500 - 9900,625 €6,25 €
1000 +0,602 €6,02 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
264-849
Référence fabricant:
R6003JND4TL1
Fabricant:
ROHM
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

ROHM

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

R60

Package Type

SOT-223-3

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.15Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Maximum Power Dissipation Pd

7.8W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

8nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The ROHM 600V 1.3A SOT 223 3 Presto MOS with integrated high-speed diode is a power MOSFET with fast reverse recovery time, suitable for the switching applications. Which increases design flexibility while maintaining the industry’s fastest reverse recovery time optimized for EV charging stations and motor drive in home appliances such as refrigerators and Air Conditioners.

Fast reverse recovery time

Low on-resistance

Fast switching speed

Drive circuits can be simple

Pb-free plating and RoHS compliant

Liens connexes