ROHM R60 N-Channel MOSFET, 1 A, 600 V Enhancement, 3-Pin SOT-223-3 R6002JND4TL1
- N° de stock RS:
- 264-855
- Référence fabricant:
- R6002JND4TL1
- Fabricant:
- ROHM
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 ruban de 25 unités)*
9,65 €
(TVA exclue)
11,68 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- Plus 3 975 unité(s) expédiée(s) à partir du 03 novembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le ruban* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | 0,386 € | 9,65 € |
| 100 - 225 | 0,366 € | 9,15 € |
| 250 - 475 | 0,339 € | 8,48 € |
| 500 - 975 | 0,312 € | 7,80 € |
| 1000 + | 0,30 € | 7,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 264-855
- Référence fabricant:
- R6002JND4TL1
- Fabricant:
- ROHM
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 1A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | SOT-223-3 | |
| Series | R60 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.25Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 7.0nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.7V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 6.6W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 1A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type SOT-223-3 | ||
Series R60 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.25Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7.0nC | ||
Forward Voltage Vf 1.7V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 6.6W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM 600V 1A SOT-223-3 Presto MOS with integrated high-speed diode is a power MOSFET with fast reverse recovery time, suitable for the switching applications. Which increases design flexibility while maintaining the industry’s fastest reverse recovery time optimized for EV charging stations and motor drive in home appliances such as refrigerators and Air Conditioners (ACs).
Fast reverse recovery time
Low on-resistance
Fast switching speed
Drive circuits can be simple
Pb-free plating and RoHS compliant
Liens connexes
- ROHM R60 N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin SOT-223-3 R6003KND4TL1
- ROHM R60 N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin SOT-223-3 R6006KND4TL1
- ROHM R60 N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin SOT-223-3 R6004END4TL1
- ROHM R60 N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin SOT-223-3 R6003JND4TL1
- ROHM R60 N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252 R6004RND3TL1
- ROHM R60 N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-3PF R6086YNZC17
- ROHM R60 N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220FM R6027YNXC7G
- ROHM R60 N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB R6038YNX3C16