ROHM HP8 2 Type N-Channel MOSFET, 60 V Enhancement, 8-Pin HSOP-8 HP8KC6TB1
- N° de stock RS:
- 264-757
- Référence fabricant:
- HP8KC6TB1
- Fabricant:
- ROHM
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| 100 - 495 | 1,754 € | 8,77 € |
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- N° de stock RS:
- 264-757
- Référence fabricant:
- HP8KC6TB1
- Fabricant:
- ROHM
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | HSOP-8 | |
| Series | HP8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 27mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 7.6nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 21W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type HSOP-8 | ||
Series HP8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 27mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7.6nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 21W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM 60V 23A Dual Nch+Nch is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications.
Small Surface Mount Package (HSOP8)
Pb-free lead plating and RoHS compliant
Halogen Free
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