IXYS Type N-Channel MOSFET, 61 A, 500 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN64N50P

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 unité)*

33,05 €

(TVA exclue)

39,99 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Informations sur le stock actuellement non accessibles
Unité
Prix par unité
1 - 433,05 €
5 +28,51 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
194-568
Numéro d'article Distrelec:
302-53-377
Référence fabricant:
IXFN64N50P
Fabricant:
IXYS
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

61A

Maximum Drain Source Voltage Vds

500V

Package Type

SOT-227

Mount Type

Panel

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

85mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

700W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

150nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

9.6mm

Length

38.23mm

Standards/Approvals

No

Width

25.42 mm

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series


N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Liens connexes