IXYS Type N-Channel MOSFET, 72 A, 600 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN82N60P
- N° de stock RS:
- 194-130
- Référence fabricant:
- IXFN82N60P
- Fabricant:
- IXYS
Offre groupée disponible
Sous-total (1 unité)*
45,17 €
(TVA exclue)
54,66 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- Plus 2 unité(s) expédiée(s) à partir du 26 janvier 2026
- Plus 83 unité(s) expédiée(s) à partir du 26 janvier 2026
- Plus 86 unité(s) expédiée(s) à partir du 02 février 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 1 | 45,17 € |
| 2 - 4 | 43,82 € |
| 5 + | 42,91 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 194-130
- Référence fabricant:
- IXFN82N60P
- Fabricant:
- IXYS
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | IXYS | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 72A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | SOT-227 | |
| Mount Type | Panel | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 75mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.04kW | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 240nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 38.2mm | |
| Height | 9.6mm | |
| Width | 25.07 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque IXYS | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 72A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type SOT-227 | ||
Mount Type Panel | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 75mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.04kW | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 240nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 38.2mm | ||
Height 9.6mm | ||
Width 25.07 mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Liens connexes
- IXYS Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 4-Pin SOT-227
- IXYS Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 4-Pin SOT-227
- IXYS Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 4-Pin SOT-227
- IXYS Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 4-Pin SOT-227
- IXYS Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN80N60P3
- IXYS Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN110N60P3
- IXYS Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN48N60P
- IXYS Type N-Channel MOSFET 300 V Enhancement, 4-Pin SOT-227