Infineon FS75R12KT3GBOSA1 IGBT Module, 100 A 1200 V Module, Panel Mount
- N° de stock RS:
- 273-7409
- Référence fabricant:
- FS75R12KT3GBOSA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 4 | 207,58 € |
| 5 - 9 | 203,42 € |
| 10 - 99 | 188,69 € |
| 100 - 249 | 172,92 € |
| 250 + | 159,63 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 273-7409
- Référence fabricant:
- FS75R12KT3GBOSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 100 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20V | |
| Maximum Power Dissipation | 355 W | |
| Package Type | Module | |
| Mounting Type | Panel Mount | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 100 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage +/-20V | ||
Maximum Power Dissipation 355 W | ||
Package Type Module | ||
Mounting Type Panel Mount | ||
The Infineon IGBT module has 1200V collector emitter voltage and 75A continuous DC collector current. It has low stray inductance module design. This IGBT module available with fast TRENCHSTOP IGBT3, emitter controlled high efficiency diode and NTC.
Thermal resistance
High power density
Compact module concept
High power density
Compact module concept
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