Infineon FP10R12W1T4B3BOMA1 IGBT Module, 20 A 1200 V Module, Panel

Voir l’ensemble des IGBTs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 plateau de 24 unités)*

581,04 €

(TVA exclue)

702,96 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 03 juillet 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le plateau*
24 - 9624,21 €581,04 €
120 +22,192 €532,61 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
273-7394
Référence fabricant:
FP10R12W1T4B3BOMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

IGBT Module

Maximum Continuous Collector Current Ic

20A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Maximum Power Dissipation Pd

105W

Package Type

Module

Mount Type

Panel

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.25V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

15.5mm

Length

62.8mm

Width

33.8 mm

Standards/Approvals

UL E83335

Automotive Standard

No

The Infineon IGBT module has rugged mounting due to integrated mounting clamps. This IGBT module features a VCEsat with positive temperature coefficient and Al2O3 substrate with low thermal resistance. It is suitable for auxiliary inverters, air conditioning and motor drives applications.

Low VCEsat

Trench IGBT 4

Compact design

Low switching losses

Solder contact technology

Liens connexes