Infineon FS75R12W2T4BOMA1 IGBT Module, 107 A 1200 V Module, Panel

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273-7410
Référence fabricant:
FS75R12W2T4BOMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

IGBT Module

Maximum Continuous Collector Current Ic

107A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Maximum Power Dissipation Pd

375W

Package Type

Module

Mount Type

Panel

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.25V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

EN61140, IEC61140

Width

48 mm

Length

56.7mm

Height

15.5mm

Automotive Standard

No

The Infineon IGBT module has rugged mounting due to integrated mounting clamps. This IGBT module features a VCEsat with positive temperature coefficient and Al2O3 substrate with low thermal resistance. It is suitable for servo drives, UPS system, air conditioning and motor drives applications.

Low VCEsat

Trench IGBT 4

Compact design

Low switching losses

Solder contact technology

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