Infineon FP15R12W1T4B11BOMA1 IGBT Module, 28 A 1200 V Module, Panel Mount
- N° de stock RS:
- 273-7398
- Référence fabricant:
- FP15R12W1T4B11BOMA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le plateau* |
|---|---|---|
| 24 - 96 | 37,193 € | 892,63 € |
| 120 + | 34,093 € | 818,23 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 273-7398
- Référence fabricant:
- FP15R12W1T4B11BOMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 28 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20V | |
| Maximum Power Dissipation | 130 W | |
| Package Type | Module | |
| Mounting Type | Panel Mount | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 28 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage +/-20V | ||
Maximum Power Dissipation 130 W | ||
Package Type Module | ||
Mounting Type Panel Mount | ||
The Infineon IGBT module has 1200V collector emitter voltage and 15A continuous DC collector current. It is a superior solution for frequency controlled inverter drives. This IGBT module available with fast TRENCHSTOP IGBT4, emitter controlled 4 diode, NTC and Press FIT contact technology.
Thermal resistance
High power density
Compact module concept
Low stray inductance module design
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Compact module concept
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