Infineon FP50R12KT3BOSA1 IGBT Module, 75 A 1200 V Module, Panel
- N° de stock RS:
- 273-7402
- Référence fabricant:
- FP50R12KT3BOSA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le plateau* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 82,507 € | 825,07 € |
| 100 + | 75,659 € | 756,59 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 273-7402
- Référence fabricant:
- FP50R12KT3BOSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 75A | |
| Product Type | IGBT Module | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 280W | |
| Package Type | Module | |
| Mount Type | Panel | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.15V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 125°C | |
| Length | 122mm | |
| Standards/Approvals | EN61140, IEC61140 | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 75A | ||
Product Type IGBT Module | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 280W | ||
Package Type Module | ||
Mount Type Panel | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.15V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 125°C | ||
Length 122mm | ||
Standards/Approvals EN61140, IEC61140 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IGBT module has 1200V collector emitter voltage and 50A continuous DC collector current. It has copper base plate for optimized heat spread and low stray inductance module design. This IGBT module available with fast TRENCHSTOP IGBT3 and NTC.
Thermal resistance
High reliability
High power density
Low switching losses
Compact module concept