Infineon FP50R12KT3BOSA1 IGBT Module, 75 A 1200 V Module, Panel Mount

Offre groupée disponible

Sous-total (1 plateau de 10 unités)*

1 389,63 €

(TVA exclue)

1 681,45 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 14 avril 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le plateau*
10 - 90138,963 €1 389,63 €
100 +127,431 €1 274,31 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
273-7402
Référence fabricant:
FP50R12KT3BOSA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

75 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

+/-20V

Maximum Power Dissipation

280 W

Package Type

Module

Mounting Type

Panel Mount

The Infineon IGBT module has 1200V collector emitter voltage and 50A continuous DC collector current. It has copper base plate for optimized heat spread and low stray inductance module design. This IGBT module available with fast TRENCHSTOP IGBT3 and NTC.

Thermal resistance
High reliability
High power density
Low switching losses
Compact module concept

Liens connexes