Infineon FS75R12KT3GBOSA1 IGBT Module, 100 A 1200 V Module, Panel

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N° de stock RS:
273-7408
Référence fabricant:
FS75R12KT3GBOSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Maximum Continuous Collector Current Ic

100A

Product Type

IGBT Module

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Maximum Power Dissipation Pd

355W

Package Type

Module

Mount Type

Panel

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.15V

Maximum Operating Temperature

125°C

Standards/Approvals

EN61140, IEC61140

Width

62 mm

Height

20.5mm

Length

122mm

Automotive Standard

No

The Infineon IGBT module has 1200V collector emitter voltage and 75A continuous DC collector current. It has low stray inductance module design. This IGBT module available with fast TRENCHSTOP IGBT3, emitter controlled high efficiency diode and NTC.

Thermal resistance

High power density

Compact module concept

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