Infineon IGBT Module, 69 A 1200 V, 8-Pin Module, Panel

Offre groupée disponible

Sous-total (1 unité)*

29,23 €

(TVA exclue)

35,37 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 16 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité
Prix par unité
1 - 429,23 €
5 - 928,65 €
10 - 9926,57 €
100 - 24924,38 €
250 +22,48 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
273-7361
Référence fabricant:
DDB6U75N16W1RBOMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Maximum Continuous Collector Current Ic

69A

Product Type

IGBT Module

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Maximum Power Dissipation Pd

335W

Package Type

Module

Mount Type

Panel

Pin Count

8

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.25V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

IEC61140, EN61140

Height

16.4mm

Length

62.8mm

Automotive Standard

No

The Infineon Diode Bridge Modules with Brake Chopper and NTC for a more compact converter design. It has 1600 V repetitive peak reverse voltage and 65 A Maximum RMS forward current per chip.

Thermal resistance

Al2O3 internal isolation

Total power dissipation 335W

15 A continuous DC forward current

Liens connexes