Infineon DDB6U75N16W1RBOMA1 IGBT Module, 69 A 1200 V, 8-Pin Module, Panel
- N° de stock RS:
- 273-7360
- Référence fabricant:
- DDB6U75N16W1RBOMA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le plateau* |
|---|---|---|
| 24 - 96 | 23,758 € | 570,19 € |
| 120 + | 21,778 € | 522,67 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 273-7360
- Référence fabricant:
- DDB6U75N16W1RBOMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | IGBT Module | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 69A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 335W | |
| Package Type | Module | |
| Mount Type | Panel | |
| Pin Count | 8 | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.25V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 16.4mm | |
| Length | 62.8mm | |
| Standards/Approvals | IEC61140, EN61140 | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type IGBT Module | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 69A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 335W | ||
Package Type Module | ||
Mount Type Panel | ||
Pin Count 8 | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.25V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 16.4mm | ||
Length 62.8mm | ||
Standards/Approvals IEC61140, EN61140 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon Diode Bridge Modules with Brake Chopper and NTC for a more compact converter design. It has 1600 V repetitive peak reverse voltage and 65 A Maximum RMS forward current per chip.
Thermal resistance
Al2O3 internal isolation
Total power dissipation 335W
15 A continuous DC forward current