Infineon DDB6U75N16W1RBOMA1 IGBT Module, 69 A 1200 V Module, Panel Mount

Voir l’ensemble des IGBTs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 plateau de 24 unités)*

831,048 €

(TVA exclue)

1 005,576 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 24 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le plateau*
24 - 9634,627 €831,05 €
120 +31,741 €761,78 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
273-7360
Référence fabricant:
DDB6U75N16W1RBOMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

69 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

+/-20V

Maximum Power Dissipation

335 W

Package Type

Module

Mounting Type

Panel Mount

The Infineon Diode Bridge Modules with Brake Chopper and NTC for a more compact converter design. It has 1600 V repetitive peak reverse voltage and 65 A Maximum RMS forward current per chip.

Thermal resistance
Al2O3 internal isolation
Total power dissipation 335W
15 A continuous DC forward current

Liens connexes