Références fabricant

Bourns IGBT, 40 A 600 V TO-247

N° de stock RS:: 253-3504
Référence fabricant:: BIDW20N60T
Fabricant:: Bourns

Sous-total (1 tube de 600 unités)*

1 478,40 €

(TVA exclue)

1 788,60 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €

En stock

1 800 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité	le tube*
600 +	2,464 €	1 478,40 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 253-3504
Référence fabricant:: BIDW20N60T
Fabricant:: Bourns

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Bourns
	Maximum Continuous Collector Current Ic	40A
	Product Type	IGBT
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	600V
	Maximum Power Dissipation Pd	192W
	Package Type	TO-247
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	±20 V
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	1.9V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS Compliant
	Series	BIDW20N60T
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Bourns
	Maximum Continuous Collector Current Ic 40A
	Product Type IGBT
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 600V
	Maximum Power Dissipation Pd 192W
	Package Type TO-247
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 V
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.9V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS Compliant
	Series BIDW20N60T
	Automotive Standard No

Datasheet - BIDW20N60T

The Bourns IGBT device combines technology from a MOS gate and a bipolar transistor for an optimum component for high voltage and high current applications. This device uses Trench-Gate Field-Stop technology providing greater control of dynamic characteristics with a lower conduction loss and fewer switching losses. In addition, this structure provides a positive temperature coefficient.

600 V, 20 A, Low Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat))

Trench-Gate Field-Stop technology

Optimized for conduction

Low switching loss

RoHS compliant

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.