Bourns IGBT 600 V TO-252

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N° de stock RS:
253-3499
Référence fabricant:
BIDD05N60T
Fabricant:
Bourns
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Marque

Bourns

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

600V

Maximum Power Dissipation Pd

82W

Package Type

TO-252

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±30 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Series

BIDD05N60T

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Automotive Standard

No

The Bourns IGBT device combines technology from a MOS gate and a bipolar transistor for an optimum component for high voltage and high current applications. This device uses Trench-Gate Field-Stop technology providing greater control of dynamic characteristics with a lower Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)) and fewer switching losses. In addition, this structure improves the robustness of the device.

600V, 5A, Low VCE(sat)

Trench-Gate Field-Stop technology

Optimized for conduction

Robust

RoHS compliant

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