Bourns IGBT, 100 A 650 V TO-247
- N° de stock RS:
- 253-3508
- Référence fabricant:
- BIDW50N65T
- Fabricant:
- Bourns
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- N° de stock RS:
- 253-3508
- Référence fabricant:
- BIDW50N65T
- Fabricant:
- Bourns
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Bourns | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 100A | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±20 V (Gate-Emitter Voltage VGE ) | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.65V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Bourns | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 100A | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Package Type TO-247 | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 V (Gate-Emitter Voltage VGE ) | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.65V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Automotive Standard No | ||
The Bourns IGBT device combines technology from a MOS gate and a bipolar transistor for an optimum component for high voltage and high current applications. This device uses Trench-Gate Field-Stop technology providing greater control of dynamic characteristics with a lower Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)) and fewer switching losses. In addition, this structure provides a lower thermal resistance R(th).
650 V, 50 A, Low Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat))
Trench-Gate Field-Stop technology
Optimized for conduction
RoHS compliant
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