Infineon FP75R12KT4BOSA1 IGBT Module, 75 A 1200 V EconoPIM
- N° de stock RS:
- 244-5854
- Référence fabricant:
- FP75R12KT4BOSA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 244-5854
- Référence fabricant:
- FP75R12KT4BOSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 75 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V | |
| Number of Transistors | 7 | |
| Package Type | EconoPIM | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 75 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V | ||
Number of Transistors 7 | ||
Package Type EconoPIM | ||
The infineon IGBT module the maximum rated collector emitter voltage is 1200 V and toatal power dissipation is 355 W, maximum gate threshold voltage is 6.5 V.
Internal isolation basic insulation (class 1, IEC 61140)
Gate-emitter peak voltage + /- 20 V
Collector-emitter saturation voltage 2.15 V
Gate-emitter leakage current 400 nA
Gate-emitter peak voltage + /- 20 V
Collector-emitter saturation voltage 2.15 V
Gate-emitter leakage current 400 nA
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