Infineon FP75R12KT3BOSA1 IGBT Module, 105 A 1200 V EconoPIM
- N° de stock RS:
- 244-5840
- Référence fabricant:
- FP75R12KT3BOSA1
- Fabricant:
- Infineon
Sous-total (1 plateau de 10 unités)*
1 545,09 €
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Unité | Prix par unité | le plateau* |
|---|---|---|
| 10 + | 154,509 € | 1 545,09 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 244-5840
- Référence fabricant:
- FP75R12KT3BOSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 105 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V | |
| Maximum Power Dissipation | 355 W | |
| Number of Transistors | 7 | |
| Package Type | EconoPIM | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 105 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V | ||
Maximum Power Dissipation 355 W | ||
Number of Transistors 7 | ||
Package Type EconoPIM | ||
The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, motor drives, servo drives medical application etc.
Electrical Features
Low switching losses
Tvj op = 150° C
VCEsat with positive temperature coefficient
Low VCEsat
Mechanical features
High power and thermal cycling capability
Integrated NTC temperature sensor
Copper base plate
Pressfit contact technology
Standard housing
Low switching losses
Tvj op = 150° C
VCEsat with positive temperature coefficient
Low VCEsat
Mechanical features
High power and thermal cycling capability
Integrated NTC temperature sensor
Copper base plate
Pressfit contact technology
Standard housing
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