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Infineon FS150R12KT4B11BOSA1 IGBT Module, 150 A 1200 V

N° de stock RS:: 244-5407
Référence fabricant:: FS150R12KT4B11BOSA1
Fabricant:: Infineon

Infineon FS150R12KT4B11BOSA1 IGBT Module, 150 A 1200 V

Sous-total (1 plateau de 10 unités)*

1 323,47 €

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Unité	Prix par unité	le plateau*
10 +	132,347 €	1 323,47 €

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N° de stock RS:: 244-5407
Référence fabricant:: FS150R12KT4B11BOSA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	150 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	1200 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	+/-20V
	Number of Transistors	6
	Maximum Power Dissipation	750 W

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 150 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
	Maximum Gate Emitter Voltage +/-20V
	Number of Transistors 6
	Maximum Power Dissipation 750 W

Datasheet - FS150R12KT4B11BOSA1

The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 300 A and collector-emitter saturation voltag 2.10 V, gate threshold voltage is 6.4 V.

Collector-emitter cut-off current 1.0 mA
Temperature under switching conditions 150° C
Gate-emitter leakage current 100 nA
Reverse transfer capacitance 0.35 nF

Infineon FS150R12KT4B11BOSA1 IGBT Module, 150 A 1200 V

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