Infineon FP25R12W2T4B11BOMA1 IGBT Module, 39 A 1200 V
- N° de stock RS:
- 244-5389
- Référence fabricant:
- FP25R12W2T4B11BOMA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le plateau* |
|---|---|---|
| 15 - 15 | 53,691 € | 805,37 € |
| 30 + | 51,005 € | 765,08 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 244-5389
- Référence fabricant:
- FP25R12W2T4B11BOMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 39 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20V | |
| Number of Transistors | 7 | |
| Maximum Power Dissipation | 175 W | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 39 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage +/-20V | ||
Number of Transistors 7 | ||
Maximum Power Dissipation 175 W | ||
The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 50 A and maximum collector-emitter saturation voltag 2.25 V, gate threshold voltage is 6.4 V.
Collector-emitter cut-off current 1.0 mA
Temperature under switching conditions 150° C
Gate-emitter leakage current 400 nA
Reverse transfer capacitance 0.05 nF
Temperature under switching conditions 150° C
Gate-emitter leakage current 400 nA
Reverse transfer capacitance 0.05 nF
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