Infineon IGBT Module 1200 V
- N° de stock RS:
- 244-5379
- Référence fabricant:
- FP100R12KT4BOSA1
- Fabricant:
- Infineon
Sous-total (1 plateau de 10 unités)*
1 045,67 €
(TVA exclue)
1 265,26 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 16 septembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le plateau* |
|---|---|---|
| 10 + | 104,567 € | 1 045,67 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 244-5379
- Référence fabricant:
- FP100R12KT4BOSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | IGBT Module | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Number of Transistors | 7 | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 515W | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.1V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 17mm | |
| Length | 122mm | |
| Series | FP100R12KT4 | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type IGBT Module | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Number of Transistors 7 | ||
Maximum Power Dissipation Pd 515W | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.1V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 17mm | ||
Length 122mm | ||
Series FP100R12KT4 | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 200 A and collector-emitter saturation voltag 2.20 V, gate threshold voltage is 6.4 V.
Collector-emitter cut-off current 1.0 mA
Temperature under switching conditions 150° C
Gate-emitter leakage current 100 nA
Reverse transfer capacitance 0.27 nF
Liens connexes
- Infineon FP100R12KT4BOSA1 IGBT Module 1200 V
- Infineon IGBT Module 1200 V
- Infineon FP25R12W2T4B11BOMA1 IGBT Module 1200 V
- Infineon FP25R12W2T4BOMA1 IGBT Module 1200 V
- Infineon FP10R12W1T4BOMA1 IGBT Module 1200 V
- Infineon FP15R12W1T4BOMA1 IGBT Module 1200 V
- Infineon FP75R12KT4B11BOSA1 IGBT Module 1200 V
- Infineon F475R06W1E3BOMA1 IGBT Module 1200 V