Infineon IGBT Module 1200 V

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N° de stock RS:
244-5379
Référence fabricant:
FP100R12KT4BOSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

IGBT Module

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Maximum Power Dissipation Pd

515W

Number of Transistors

7

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.1V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Series

FP100R12KT4

Width

62 mm

Height

17mm

Length

122mm

Automotive Standard

No

The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 200 A and collector-emitter saturation voltag 2.20 V, gate threshold voltage is 6.4 V.

Collector-emitter cut-off current 1.0 mA

Temperature under switching conditions 150° C

Gate-emitter leakage current 100 nA

Reverse transfer capacitance 0.27 nF

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