Infineon IKWH30N65WR5XKSA1 Single IGBT, 30 A 650 V, 3-Pin TO-247-3-HCC, Through Hole

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N° de stock RS:
232-6735
Référence fabricant:
IKWH30N65WR5XKSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

30 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Number of Transistors

1

Maximum Power Dissipation

95 W

Configuration

Single

Package Type

TO-247-3-HCC

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

The Infineon's 30 A reverse conducting TRENCHSTOP 5 WR5 IGBT comes in high creep age and clearance TO-247-3-HCC package. It is specifically optimized for PFC stage in RAC / CAC and DC/DC in Welding application. Excellent price/performance ratio of WR5 IGBT allows access to the high performance technology also for price sensitive customers. WR5 IGBT in TO-247-3-HCC also enable more reliable design with the increased clearance and creep age distances.

Monolithically integrated diode
Stable temperature behaviour
Improved reliability against package contamination

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