Infineon AIKW40N65DF5XKSA1 IGBT, 74 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3
- N° de stock RS:
- 215-6617
- Référence fabricant:
- AIKW40N65DF5XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 7,818 € | 234,54 € |
| 60 - 120 | 7,505 € | 225,15 € |
| 150 + | 6,754 € | 202,62 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 215-6617
- Référence fabricant:
- AIKW40N65DF5XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 74 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20 V, ±30 V | |
| Maximum Power Dissipation | 250 W | |
| Package Type | PG-TO247-3 | |
| Pin Count | 3 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 74 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 650 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage ±20 V, ±30 V | ||
Maximum Power Dissipation 250 W | ||
Package Type PG-TO247-3 | ||
Pin Count 3 | ||
The Infineon high speed F5 technology insulated-gate bipolar transistor offering best-in-class efficiency in hard switching and resonant topologies.
High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference
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