Infineon IHW30N65R5XKSA1, Type N-Channel IGBT Single Transistor IC, 60 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

13,32 €

(TVA exclue)

16,115 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 255 unité(s) expédiée(s) à partir du 18 mai 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité
Prix par unité
le paquet*
5 - 202,664 €13,32 €
25 - 452,372 €11,86 €
50 - 1202,236 €11,18 €
125 - 2452,078 €10,39 €
250 +1,918 €9,59 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
215-6639
Référence fabricant:
IHW30N65R5XKSA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

IGBT Single Transistor IC

Maximum Continuous Collector Current Ic

60A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

176W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.7V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Height

5.21mm

Series

Resonant Switching

Length

42mm

Automotive Standard

No

The Infineon resonant switching series reverse conducting insulated-gate bipolar transistor with monolithic body diode.

High Efficiency

Low Switching Losses

Increased Reliability

Low Electromagnetic Interference

Liens connexes