Infineon, Type N-Channel IGBT Single Transistor IC, 60 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
- N° de stock RS:
- 215-6637
- Référence fabricant:
- IHW30N65R5XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 1,476 € | 44,28 € |
| 60 - 120 | 1,402 € | 42,06 € |
| 150 - 270 | 1,343 € | 40,29 € |
| 300 - 570 | 1,284 € | 38,52 € |
| 600 + | 1,196 € | 35,88 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 215-6637
- Référence fabricant:
- IHW30N65R5XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 60A | |
| Product Type | IGBT Single Transistor IC | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 176W | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.7V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Series | Resonant Switching | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Height | 5.21mm | |
| Length | 42mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 60A | ||
Product Type IGBT Single Transistor IC | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 176W | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.7V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Series Resonant Switching | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Height 5.21mm | ||
Length 42mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon resonant switching series reverse conducting insulated-gate bipolar transistor with monolithic body diode.
High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference
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