Infineon, Type N-Channel IGBT, 75 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

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N° de stock RS:
218-4391
Référence fabricant:
IGW75N65H5XKSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

75A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Number of Transistors

1

Maximum Power Dissipation Pd

198W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.65V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

5.21mm

Series

IGW75N65H5

Length

21.1mm

Standards/Approvals

JEDEC, RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon TRENCHSTOP IGBT5 technology redefines best-in-class IGBT resulting in lower junction and case temperature leading to higher device reliability by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. It has collector emitter voltage of 650 V and collector current of 120 A.

Higher power density design

50V increase in the bus voltage possible without compromising reliability

Mild positive temperature coefficient

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