Infineon IGD06N60TATMA1, Type N-Channel IGBT Single Transistor IC, 12 A 600 V, 3-Pin TO-252, Surface

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226-6074
Référence fabricant:
IGD06N60TATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

IGBT Single Transistor IC

Maximum Continuous Collector Current Ic

12A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

600V

Maximum Power Dissipation Pd

88W

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.5V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Series

TRENCHSTOPTM

Standards/Approvals

JEDEC1

Automotive Standard

No

The Infineon IGD06N60T is very soft, fast recovery anti-parallel emitter controlled diode and has high ruggedness, temperature stable behaviour. It has low switching loss.

Very low VCE(sat) 1.5 V (typ.)

Maximum junction temperature 175°C

Short circuit withstand time 5microsecond

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