Infineon IGB15N60TATMA1 IGBT, 26 A 600 V, 3-Pin PG-TO263-3
- N° de stock RS:
- 215-6628
- Référence fabricant:
- IGB15N60TATMA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,74 € | 8,70 € |
| 50 - 120 | 1,548 € | 7,74 € |
| 125 - 245 | 1,46 € | 7,30 € |
| 250 - 495 | 1,358 € | 6,79 € |
| 500 + | 1,252 € | 6,26 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 215-6628
- Référence fabricant:
- IGB15N60TATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 26 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V | |
| Maximum Power Dissipation | 130 W | |
| Package Type | PG-TO263-3 | |
| Pin Count | 3 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 26 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 600 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V | ||
Maximum Power Dissipation 130 W | ||
Package Type PG-TO263-3 | ||
Pin Count 3 | ||
The Infineon low loss insulated-gate bipolar transistor with fieldstop technology.
High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference
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